Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.

• Voltaje colector-base (VCBO): 30V.
• Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.
• Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.
• Corriente de colector continua (IC): 500mA.
• Disipación de energía (PD): 625 mW.
• Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ∼150 °C.
• Resistencia térmica: 200Ω.