Los transistores de potencia de silicio complementarios están diseñados para aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito general.

CARACTERÍSTICAS
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Empaquetado / Estuche: TO3

HOJA DE DATOS